联系人: 汪元元
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发明专利名称:
一种高透过率透明导电薄膜及其制备方法
发明专利简介:
本发明公开了一种高透过率透明导电薄膜,其特征在于,所述透明导电薄膜的模系为二氧化锡/氧化锌/二氧化硅/基底材料/二氧化硅,或二氧化硅/二氧化锡/氧化锌/二氧化硅/基底材料/二氧化硅的多层膜结构,主体材料为金属二氧化锡与氧化锌和锡与锌,其中,锡与锌元素两者在二氧化锡/氧化锌复合层中的质量百分含量为75.9%~83.5%,锡与锌元素的质量比为45~51∶55~49,薄膜的厚度为5nm~250nm。本发明公开了一种高透过率透明导电薄膜的制备方法。本发明采用磁控溅射方法沉积的薄膜性能优异,具有良好的导电性和透光性,可广泛用于触摸屏液晶显示屏、电致发光显示、太阳能电池、晶体管等光电技术领域。
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