[00032990]填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用
联系人： 张初华
所在地：江西 新余市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明涉及一种填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用，具 体方法是将硅粉冷等静压或热等静压成填装性能良好的原料硅块后，放入单晶 炉或多晶炉中，用于硅晶体生长的初始原料；本发明涉及的该原料硅块的抗压 参数为0.1-50MPa，该原料硅块的纯度为99.99％-99.9999999％。该原料硅块 可以在太阳能领域或半导体领域的单晶炉或多晶炉中融熔作为原料硅使用，用 于生产晶体硅棒或硅锭；该原料硅块的一个用途是作为生产太阳能电池成品硅 片的初始原料用。该填装性能良好的原料硅块有良好抗氧化性能和抗压性能， 不容易崩裂、断裂，也不容易从表面脱落硅粉。
