[00030178]第三代宽带隙半导体材料-氮化镓（GaN)晶片
联系人： 戴冬云
所在地：江苏 苏州市
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资料保密
对所交付的所有资料进行保密
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技术详细介绍
一、15～50微米厚度的2英寸GaN厚膜衬底(GaN/sapphire)，位错密度为107/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型；
二、2英寸氮化镓自支撑衬底(free-standing GaN substrate)，厚度约0.3mm，位错腐蚀坑密度为106/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型；
三、小尺寸方形(边长5mm～20mm)氮化镓衬底，位错腐蚀坑密度为106/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型，单面或者双面抛光；
四、小尺寸非极性面氮化镓衬底，a面或者m面；
五、高结晶度氮化镓粉体材料；
六、氮化铝衬底。
