[00030024]聚噻吩薄膜场效应晶体管及其制作方法
联系人： 王老师
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技术详细介绍
本发明涉及电子导电材料的制作领域，尤其是聚噻吩薄膜场效应晶体管的制作方法，聚噻吩薄膜场效应晶体管包括栅电极、绝缘层、有源层、源电极和漏电极，所述有源层包括聚噻吩薄膜，在所述聚噻吩薄膜与源电极、漏电极的连接部加入具有导电性质的掺杂剂。本发明还提供这种聚噻吩薄膜场效应晶体管结构。本发明的聚噻吩薄膜场效应晶体管能提高聚噻吩薄膜的导电性能，提高载流子注入效率，从而改善聚噻吩与金属源、漏电极功函数匹配的问题。
