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本申请公开了一种量子阱红外探测器的制作方法,通过引入自对准工艺,完成探测器芯片的上电极制备与台面制备。其制作方法包括以下步骤:1、光栅光刻与刻蚀;2、通过光刻、电子束蒸发与剥离形成金属上电极;3、利用上电极金属作为掩膜,刻蚀形成台面;4、钝化层制备;5、钝化层开孔;6、通过光刻、电子束蒸发与剥离形成金属下电极。本发明相对传统的先刻蚀台面隔离的制造方法,可省略电极金属与台面之间的对准光刻,大大降低了工艺难度,并且上下金属电极可分别控制金属成分与厚度,会提高后期芯片与In柱倒装的可靠性。
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