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[00026636]一种Si基微纳发光材料的制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他新材料技术

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:200810070671.X

交易方式: 完全转让 许可转让 完全转让

联系人: 周林成

所在地:福建 厦门市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

  项目简介:

  一种Si基微纳发光材料的制备方法,涉及一种Si基微纳发光材料,尤其是涉及一种利用薄膜外延技术与电化学腐蚀相结合来制备多层Si基微纳发光材料的方法。提供一种具有三维量子限制的多层异质,实现室温高效发光的Si基微纳发光材料的制备方法。在硅衬底上外延生长Si/Si↓[1-x]Ge↓[x](0<x<1)或Si↓[m]/Ge↓[n]多层薄膜材料(其中m,n表示对应材料的原子层数,m≤30,n≤15);在生长后的样品背面溅射金属电极;用腐蚀溶液对薄膜材料进行电化学腐蚀;腐蚀后的样品经冲洗,烘氮气吹干或烘干,即得目标产物。


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