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[00025782]GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他电子信息

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:200910112086.6

交易方式: 完全转让 许可转让 完全转让

联系人: 周林成

所在地:福建 厦门市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

  项目简介:

  GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法,涉及发光二极管。发光二极管从下到上依次为衬底、低温缓冲层、n型掺杂的GaN层、3~5个InGaN/GaN多量子阱、p型掺杂的AlGaN层、p型掺杂的GaN层、5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层、p型欧姆接触层、在n型掺杂的GaN层上制备n型欧姆接触层。将衬底装入反应室热处理,依次生长 GaN缓冲层、n型掺硅GaN层、3~5个周期的渐变组分InGaN/GaN多量子阱、p型掺Mg 的AlGaN层、p型掺Mg的GaN层和5个周期掺Mg的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层,外延生长完退火,刻蚀出n型GaN层,再制备n型和p型欧姆接触层。


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