[00025754]一种锗量子点的制备方法
联系人： 周林成
所在地：福建 厦门市
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技术详细介绍
项目简介：
一种锗量子点的制备方法，涉及一种制备锗量子点的方法。提供一种可实现小尺寸、高密度、没有浸润层的Ｇｅ量子点的制备方法。在硅衬底或绝缘体上的硅衬底上，生长一层ＳｉＧｅ合金层，Ｇｅ组分大于０，小于等于０．５；将ＳｉＧｅ合金层依次用３种清洗液中的至少一种进行清洗，清洗后在ＳｉＧｅ合金层表面形成一层氧化物层，氧化物为ＳｉＯ↓［２］和ＧｅＯ↓［２］的混合物；将覆盖有氧化物层的ＳｉＧｅ合金层放入真空腔体内加热脱氧，得Ｇｅ量子点。加热温度可大于等于脱氧温度，小于ＳｉＧｅ的熔点。
