联系人: 夏珺
所在地:湖南 湘潭市
国内较早从事高压工艺高性能芯片内级与系统级ESD和单片集成抗30KV的TVS器件研究。目前国内外科研单位主要研究低电压工艺的ESD保护器件,在高压工艺上鲜有突破性研究。本研究方向基于高压工艺,针对高压NMOS、高压SCR及其变形、超高压ESD防护级别器件的研究,建立从器件预选型、器件参数设计、工艺仿真、器件仿真、结构选型、版图设计、流片测试、性能评估到电路应用的ESD设计全流程技术,累计测试结构达1000余个,已经在多个关键技术点取得突破,特别是在国内首次在人体模型(HBM)下抗静电强度高于30KV领域取得关键技术突破。
特别是在国内首次开展单片集成抗30KV的TVS器件研究,并应用在RS485芯片上;完成国家"十二五"重大专项、国自科等片上ESD防护设计;先后为上海昱品国际有限公司、北京福星晓程股份有限公司等提供过ESD设计,产生重大经济效益。申请专利2项;已完成5项国家省部级项目的开发。该项目可以广泛民用化,作为汽车电子、航空航天、计算机等不同芯片提供片上防静电保护,估计市场规模每年在100亿以上。
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