[00023730]暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线的制备方法
联系人： 董维权
所在地：陕西 西安市
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技术详细介绍
一、发明创造简介：
本发明公开了暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线的制备方法，采用简单的溶剂热法，制备成暴露高能（111）晶面且具有大的纵横比的立方相Cu2Se单晶纳米线，Cu2Se纳米线沿[-202]方向生长，纳米线的直径为142nm～1.1μm、长度为5.4～102μm。本发明操作简单，成本低，重复性和一致性好。
二、创新点：
本发明采用简单的溶剂热法，制备成暴露高能（111）晶面且具有大的纵横比的立方相Cu2Se单晶纳米线，Cu2Se纳米线沿[-202]方向生长，纳米线的直径为142nm～1.1μm、长度为5.4～102μm。
三、发明的应用价值和市场前景：
本发明所制备的暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线可望在光催化、太阳能电池、超离子导体、锂离子电池和超级电容器等应用中体现增强的光电性能。
