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[00022012]一种用激光提纯多晶硅片的方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他化学化工

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:ZL201110202745.2

交易方式: 完全转让

联系人: 周林成

所在地:福建 厦门市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

  一种用激光提纯多晶硅片的方法,涉及多晶硅片。提供一种效率较高、工艺简单、污染较小的用激光提纯多晶硅片的方法。将多晶硅片清洗、烘干后,放置加热平台上进行预热;用激光对预热后的多晶硅片进行辐照;使激光对多晶硅片进行辐照扫描处理;对多晶硅片进行退火处理;刻蚀多晶硅片表层部分,得到目标产品。质谱分析表明,可一次将多晶硅片中部分区域的铁含量降低2~3个数量级;提纯后可直接应用于太阳电池等应用。直接加工低纯度的多晶硅片,减少硅产业中低纯度硅的重新回收加工。可大批量连续生产。通过激光熔化硅片再凝固也可以降低多晶硅片中磷的含量。

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