[00021042]针对生产“高容量相变化存储器”的“二极管选择元件阵列结构的相
联系人： 李先生
所在地：福建 厦门市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
博佳琴电子科技提供一种二极管选择元件阵列结构的相变化存储器制造方法，该方法在二极管选择元件阵列结构的基础上，对应第二P型扩散层位置的钨插塞上及N阱的接触点电极上形成金属层；浅隔离槽的绝缘层上依次形成缓冲层、介质层、低温氮化物及绝缘层；位于N型扩散层之上的钨插塞上形成相变化存储器材料，相变化存储器材料上形成金属层，从而形成二极管选择元件阵列结构的相变化存储器。该制造方法工艺简单，对衬底表面要求较低，节约制造成本；由该方法形成二极管选择元件阵列结构的相变化存储器，成本较低，且品质较好。
