[00021040]一种相变化储存器阵列及制造方法
联系人： 李先生
所在地：福建 厦门市
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技术详细介绍
博佳琴电子科技提供一种相变化储存器阵列及制造方法，该方法在二极管选择元件阵列结构的基础上，对应第二P型扩散层位置的钨插塞上及N阱的接触点电极上形成金属层；浅隔离槽的绝缘层上依次形成缓冲层、介质层、低温氮化物及绝缘层；位于N型扩散层之上的钨插塞上形成相变化存储器材料，相变化存储器材料上形成金属层；沉积金属层后形成P型接触槽及N型接触槽，在P型接触槽及N型接触槽四周掩埋P型扩散区；在P型扩散区之上，位元线将数个N型接触槽连接；在位元线之上，字线将数个P型接触槽连接，从而形成相变化存储器阵列。该制造方法工艺简单，对衬底表面要求较低，节约制造成本；由该方法的相变化存储器阵列，成本较低，且品质较好。
