[00002593]一种SiC-MOSFET的高速隔离驱动保护电路
联系人： 张玲
所在地：江苏 徐州市
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技术详细介绍
本实用新型公开了一种SiC‑MOSFET的高速隔离驱动保护电路，包括高速CMOS数字隔离电路、高速驱动电路、栅源极过压保护电路和负压产生电路。高速CMOS数字隔离电路可以实现输入端和驱动电路的严格电位隔离，并能保证驱动的快速性；高速驱动电路可提供强大的驱动电流；栅源极过压保护电路可以防止栅源极出现过电压；负压产生电路给栅源极间提供一个负电压，使SiC‑MOSFET可靠关断。本实用新型可用在高频电路中快速驱动SiC‑MOSFET，兼具快速性、隔离性，以及可靠的保护功能。
