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所在地:山西 太原市
本发明涉及一种电子传输层掺杂氟化锂的磷光二极管的制备方法(专利号:CN201110362206.5),该磷光二极管具有八层平面结构,即阳极层、空穴传输层、发光层I、发光层II、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极层,用三(2-苯基吡啶)铱对发光层I和发光层II进行磷光染料掺杂形成双发光层,用氟化锂对电子传输层进行掺杂;制备在真空蒸镀炉中进行,在真空度≤0.0004Pa、温度25℃±2℃状态下制备,通过蒸镀材料的加热升华、形态转化、气相沉积、薄膜生长,制成厚度为261.2nm的电子传输层掺杂氟化锂的双发光层磷光二极管,发射波长为516nm,色坐标为x=0.3151,y=0.6054,发绿光,电流效率最大为39.03cd/A,与现有技术相比发光效率可提高54%,封装器件初始亮度为500cd/m2,器件寿命为320h,与现有技术相比寿命可提高3.57倍。
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