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一种制备纳米Mg2-xSiREx热电材料的方法(专利号201110425658.3),属于热电材料制备领域,具体而言是一种高纯纳米Mg2-xSiREx热电材料的制备技术方案,特别是对中温区温差发电或制冷技术所需的半导体材料的制备。本发明其特征在于用MgH2替代传统Mg粉在管式炉中Ar气保护下与纳米Si粉反应制备出颗粒度小于50nm的高纯纳米Mg2-xSiREx粉末,本方法的特点是工艺简单且高效节能,制备出的Mg2-xSiREx热电材料具有较好的热电性能。克服了常规Mg2Si基热电材料制备过程中,Mg粉氧化严重,产物纯度和均匀度低,严重阻碍了Mg2Si基热电材料ZT值提高的缺点。
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