[00016899]一种Zn1-xMgxO基异质结及其制备方法
联系人： 李飞
所在地：山西 太原市
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技术详细介绍
一种Zn1-xMgxO基异质结及其制备方法（专利号201210541857.5），其所述异质结是由衬底上的n-Zn1-xMgxO薄膜层和p-Ni1-yMgyO薄膜层构成；其所述方法是将ZnO、MgO与Al2O3粉末，或者ZnO、MgO与Ga2O3粉末混合后压制成型并烧结，制得掺Al或Ga的Zn1-xMgxO陶瓷靶材；将NiO、MgO和Li2CO3粉末混合后压制成型并烧结，制得掺Li的Ni1-yMgyO陶瓷靶材；将衬底置于脉冲激光沉积装置，调整靶材与衬底间距离，在适当的衬底温度、氧气压强和激光频率下，以掺Al或Ga的Zn1-xMgxO陶瓷靶为溅射靶材，在衬底上沉积n-Zn1-xMgxO薄膜层；然后以掺Li的Ni1-yMgyO陶瓷靶为溅射靶材，在n-Zn1-xMgxO薄膜层上沉积p-Ni1-yMgyO薄膜层，获得Zn1-xMgxO基异质结。本发明方法简单，成本低廉，生长条件易控且界面晶格匹配性好，有利于提高器件的性能，所获得的Zn1-xMgxO基异质结在短波长光电子器件和透明电子学领域具有广泛的应用前景。
