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本实用新型涉及一种基于负微分电阻特性的SET/CMOS反相器(专利号201220068994.7),其特征在于:包括一单电子晶体管SET、一PMOS管以及一NMOS管,所述的PMOS管的源极与单电子晶体管SET的源极相连,单电子晶体管SET的栅极与PMOS管的漏极相连,所述NMOS管的漏极与所述PMOS管的漏极连接,本实用新型在具有较低功耗的同时,能够实现输出电压全摆幅以及较低的传输延迟,可以在数字电路设计中得到更好的应用。
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