[00015374]第三代半导体碳化硅和氮化铝单晶
联系人： 王明亮
所在地：黑龙江 哈尔滨市
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技术详细介绍
第三代半导体碳化硅和氮化铝单晶。
利用物理气相传输法生长大尺寸氮化铝和碳化硅晶体，满足先进微电子器件和电力电子器件的迫切需求，产品在国内外市场有着巨大的市场，供不应求，实施产业化迫在眉睫，对国家安全、社会和经济发展具有重大的意义。产品未来将占据国内70%以上的市场，研发队伍具备多项自主核心技术，开发出了从生长设备、晶体生长到晶体加工等一整套关键技术，并与国际碳化硅知名专家俄罗斯尤里泰洛夫教授等长期合作，掌握了下一代核心技术。通过国家各类科技计划的支持，前期已经投入了1500万元的研发经费，今后3年内预计还将持续投入600万元继续研发。
