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[00014594]超大规模集成电路用超低介电薄膜

交易价格: 面议

所属行业: 其他新材料技术

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:200510037695.1

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 许尔杰

所在地:江苏 南京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

  随着集成电路特征尺寸的逐渐减小,超低介电常数绝缘介质材料可应用于大规模集成电路、在CPU生成中替代传统SiO2以及其他现有低介电薄膜,可十分有效地减少发热和延迟。

  我校研究人员已获得低于2.0的超低介电常数的纳米孔氧化硅薄膜材料,优点显著:1、介电常数低与2.0;2、薄膜中的纳米微孔分布均匀;3、薄膜中的微孔大小尺寸可调;4、薄膜的刚性、柔性可调控;5、薄膜电学性质稳定;6、与硅片的粘附性好。国内处于领先位置,和国外报道的相近,有较好的发展前景。(专利号:ZL200410044831.5,ZL200510037695.1)。

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