[00012606]实用新型专利转让（光电芯片类）
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技术详细介绍
用于光电转换的PN结光电二极管芯片，专利号201520966902.0。
技术领域
本发明涉及光电检测领域，具体涉及到一种高功率激光测量的PN结光电二极管芯片。
背景技术
激光的用途越来越广，在激光工业加工、医疗、科研、军事等领域，激光输出功率可以从几瓦到几万瓦。现有两种技术测量大功率激光功率。第一种是热电技术，激光被吸收后加热芯片，芯片两个表面温度不一样，存在电势差，测量电势差解读为激光功率。热电技术响应慢，一般大于8秒，最快也要超过1秒；而且热电技术测试结果容易受温度、气流影响。第二种是积分球技术，实际上是一种强衰减光电测量技术。激光入射到积分球内腔经多次漫反射后均匀分布，开一小洞测量这一小部分的功率然后反算全部激光功率。积分球的缺点体积大，成本高昂，对入射光的位置和发散角敏感。
PN结光电二级管测量光功率具有准确、快速的特点，广泛用于通信、传感中，但是现在的PN结光电二级管的测量功率都不高，最高饱和功率能达到10W/cm2数量级，很多大功率的激光还是测试不了。
也有公司采用外加衰减片的方式来提高光电二极管的测量功率，如以色列的Ophir公司。但是这种方案有个致命缺陷导，那就是衰减片的热很难传导出去，只能测量几瓦的激光。
项目核心创新点：本发明提供一种高饱和光密度的PN结光电二级管芯片，包括一层衰减膜和一半导体PN结。上述两层物质从上到下依次为衰减膜和PN结，二者紧密的结合在一起。
项目详细用途：测量大功率激光功率计。
预期效益说明：与现有技术相比，采用本发明的芯片使得激光功率计结构简单，结构紧凑成本更低。更重要的是衰减膜的热量可以沿着芯片、衬底、散热装置这条通道快速散发出去，从而可以测量几瓦到几万瓦的激光功率。
