[00012074]一种高钨含量的高致密细晶钨铜材料及其制备方法
联系人： 谭平凡
所在地：湖南 长沙市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种高钨含量高致密度细晶钨铜材料及其制备方法（专利号201110007251.9），其成分为：Cu含量为5-20wt％；余量为W。首先采用溶胶-喷雾干燥获得W-Cu前驱体粉末，前躯体粉末经煅烧后再进行球磨获得成分均匀的W-Cu氧化物复合粉末，氧化物复合粉末经多步氢还原方法获得超细W-Cu复合粉末；再加入0-2.5wt％的低分子有机粘结剂后采用模压或冷等静压压制成压坯；然后将压坯进行二步烧结，获得致密的高性能细晶W-Cu材料。本发明制备的W-Cu材料的致密度高达98.5％以上，合金组织细小均匀，导电导热性能好，热膨胀系数低，电导率为17-27MS/m(IACS为29-46)，热导率为170-220W/(m·K)，热膨胀系数为(4.5-7.0)×10-6/K，非常适合制作高性能电极材料、电触头材料以及电子封装材料。
