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[00011031]一种高光电性能三氧化钨薄膜的制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他环保和资源

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201410158153.9

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 谭平凡

所在地:湖南 长沙市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

  一种高光电性能三氧化钨薄膜的制备方法

  本发明公开了一种高光电性能三氧化钨薄膜的制备方法,该方法是将钨酸盐溶于水配成钨酸盐溶液,再依次在所得钨酸盐溶液中加入盐酸和固体杂多酸,搅拌至无沉淀产生,形成前驱体混合液;在所得前驱体混合液中加入草酸铵作为结构导向剂,以FTO基底为载体,通过水热法在FTO基底上沉积三氧化钨晶体后,将沉积了三氧化钨的FTO基底进行煅烧,在FTO基底上制得三氧化钨薄膜;制备方法过程简单、操作便捷,制备的三氧化钨薄膜形貌良好、由单斜相三氧化钨纳米片构成,具有高光电性能,应用前景广泛。

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