联系人: 徐先生
所在地:福建 福州市
通过引入一些具有不同陷阱深度的有机官能团到共轭聚物中,电学测试发现做为导电通道的共轭主链电荷传输会受陷阱的阻隔,从而实现了电学双稳态;而当陷阱深度达到合适的值(如:0。6eV)并与电极形成较小的能级台阶时,其中的开启(ON)状态处于亚稳状态(微秒级)并可通过刷新电路来维持。这样的元件具有存储、读写、擦除、刷新的能力,具备了动态随机存储器(DRAM)的特性要求。该项目有望应用于计算机内存,以期克服半导体加工技术的某些局限,如:降低原料及生产成本,提高计算机内存的数据存储密度等。
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