技术简介: 摘要:本发明提供了一种Yb2+掺杂的新型长余辉发光材料及其制备方法。该长余辉发光材料的化学通式为:M(1-a-b)Al2O4:aYb2+,bDy3+式中:M是Ca、Sr、Ba中的一种;0.001≤a≤0.01,0≤b≤0.01。本发…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明提供了一种石墨烯基银复合材料及石墨烯基银多功能水性涂料,所述石墨烯基银复合材料按如下步骤制备将银盐溶解于水中得银盐水溶液,将银盐水溶液匀速滴加到氧化石墨烯中,冷冻干燥,…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种近红外荧光粉,其化学通式为Ca3Ga1.95‑2xIn2xCr0.05Ge4O14,其中0≤x≤0.975。还公开了其制备方法a)按照荧光粉的化学通式Ca3Ga1.95‑2xIn2xCr0.05Ge4O14中各元素的摩尔…… 查看详细 >
一种稀土离子及过渡金属离子掺杂的单基质磷酸盐白色荧光粉及其制备方法
技术简介: 摘要:本发明公开了一种稀土离子及过渡金属离子掺杂的单基质磷酸盐白色荧光粉,其化学通式为Ca8.78‑x‑ySrxBayEu0.06Mn0.16Ce(PO4)7,其中0≤x≤1.0,0≤y≤1.0,且x和y不同时为0。其制备方法…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明提供了一种超薄银基薄膜、多层复合透明导电薄膜及其制备方法与应用,所述超薄银基薄膜具有双层结构,包括Ag(O)层和位于Ag(O)层上且与其接触、连续的超薄Ag层;所述Ag(O)层的厚度为0…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种低温高速沉积氢化非晶氮化硅薄膜的方法,首先将清洗好的衬底放置到对靶磁控溅射装置的基片台上,然后对对靶磁控溅射装置的反应室抽真空,并用氩等离子体清对靶磁控溅射装…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本实用新型提供一种磁控和脉冲激光共沉积装置,其特征在于:在一个真空腔体中设置有磁控溅射靶材和脉冲激光沉积靶材和一个共用的样品台,样品台上固定沉积基片,真空腔体上开设石英窗,真…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:一种螺旋波等离子体增强化学气相沉积装置,属于等离子体加工设备技术领域,用以实现射频功率的稳定和有效馈入并能有效防止螺旋波等离子体的跳模现象,其技术方案是:该装置包括外部高压电…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明涉及一种等离子体气相沉积双面材料局域生长装置和方法。本发明材料局域生长装置包括真空反应室、等离子体电源、两个水电极、两个绝缘体边框以及一到两个材料生长基片。通过在两水电…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种葫芦[6]脲键合硅胶固定相、制备方法及应用,所述固定相结构式如式Ⅰ所示:式Ⅰ。本发明的葫芦[6]脲键合硅胶固定相键合量高、键合层稳定,不仅具有传统的ODS反相色谱性能…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明涉及咪唑杯[4]芳烃键合硅胶固定相及其制备方法与应用,可有效解决咪唑杯[4]芳烃键合硅胶固定相的制备与应用问题,方法是,将咪唑杯[4]芳烃1g与巯丙基三乙氧基硅烷化硅胶3‑4g加入乙…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本实用新型涉及加热节约型启普发生器,可有效解决现有技术存在仪器容积过大,停止反应速度慢及后期反应速度下降快,装置复杂,操作繁琐,禁止加热不足的问题,其解决的技术方案是,包括恒…… 查看详细 >
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