技术简介: 摘要:本发明涉及一种铋系高温超导带材及其制备方法,其特征在于:所述带材由金属套和位于金属套内的超导芯组成,所述超导芯的第一相为(Bi,Pb)2Sr2Ca2Cu3Oy,其重量百分比含量为超导芯的75~98…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种PEDOT柔性透明电极的新型制备方法,其特征在于,包括以下步骤1)基片的预处理2)过渡金属氧化物溶液的制备;3)EDOT单体溶液的制备;4)溶液的成膜;5)透明电极热处理;6)二…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明属于工程电介质与电气工程技术领域,具体涉及一种提升聚酰亚胺闪络电压的方法,包括以下步骤1)将聚酰亚胺薄膜清洗洁净并且干燥;2)对聚酰亚胺薄膜进行打磨;3)将打磨过后的聚酰亚胺…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种提升变压器油净化效果的方法,包括如下步骤1)将滤膜放置在真空干燥箱中真空干燥;2)对滤膜进行电晕充电处理。本发明的提升变压器油净化效果的方法,通过对经干燥处理后…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明提供一种超级电容器用碳材料的制备方法。该方法以价廉易得的果皮蔬菜等生物质为原料,通过硫脲水热处理、除杂处理、冷冻干燥处理、煅烧处理、碱/微波活化处理等步骤得到超级电容器…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种用SiC作为基片的大功率半导体封装构造,包括基板和用SiC作为基片的芯片,所述芯片与基板之间设置有金属泡沫层;将金属泡沫层设置于芯片与基板之间,避免芯片与基板之间接…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种极低导通电阻的槽型场氧功率MOS器件,涉及一种半导体功率器件,包括衬底P型硅层、有源顶层硅和槽型场氧,有源硅层包含有纵向沟道、N-漂移区、P型硅区,以及埋于整个衬底…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明提供一种带有双轴张应变的GeSnn沟道MOSFET。该MOSFET(10)包括衬底(101)、源极和漏极(102,103)、GeSn沟道(104)、绝缘介电质薄膜(105)以及栅电极(106)。源漏区域材料的晶格…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种有机薄膜晶体管的制备方法,它包括SiO2/Si基片的预处理,还包括基片的自组装处理:将十八磷酸溶于四氢呋喃中,配制1mmol/L的溶液,用提拉法在预处理的SiO2/Si基片上生长…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明针对混合动力车用镍氢电池组散热不均匀问题提出了一种采用引流板的散热系统,其电池均布于电池箱内,动力电池组上下对齐,从结构上保证流阻的均匀性;通过调节引流板位置、大小和形…… 查看详细 >
平铺式双极光响应光电化学电池及建筑物屋顶处理生活污水发电系统和工作方法
技术简介: 摘要:本发明提出了一种平铺式双极光响应光电化学电池及建筑物屋顶处理生活污水发电系统和工作方法,底部放置第一交换膜,在第一交换膜边缘粘贴一体成型的绝缘胶体,在绝缘胶体上部粘贴导电玻璃…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种低电压动力电池组连接成组,N个相互并联的电池块组成电池组;每一个电池块由M个单体电池芯和一根保险丝串联而成;分以下两种情况:Ⅰ)N和M均为大于等于2的整数;Ⅱ)N和M…… 查看详细 >
Copyright © 2019 青海技术市场 青ICP备18001110号-4