技术简介: 摘要:本实用新型公开了多光谱LED光动力反应装置,包括底座、设于该底座上的中心转轴、设于该中心转轴上的支撑面板、设于该支撑面板边缘位置处的若干个LED点阵面光源、驱动装置和载物平台,载物…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本实用新型公开了一种动态液位的无线监控系统,包括前端系统、Xbee无线通信模块和远程监控终端,所述前端系统包括超声波传感器组和微处理器,所述远程监控终端包括PC机、显示屏和语音播报…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种采用原位生长石墨烯包覆金属膜的复合透明电极制备方法,包括:步骤S1、制作龟裂模板;步骤S2、沉积网状金属薄膜;步骤S3、去除龟裂模板;步骤S4、原位选择性生长石墨烯。…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种溶剂蒸发退火增强金属纳米线透明导电薄膜性能的方法。该方法利用金属纳米线表面配体PVP一般易溶于极性溶剂的特点,通过低沸点的醇类溶剂蒸发退火方法来去除金属纳米线表…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种电润湿显示器件的制备方法,包括以下制备步骤:于下基板上涂覆所述疏水层涂覆浆料,形成疏水层;将所述亲水层浆料图形化后形成像素格层黏附于所述疏水层上;进行填充、封…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开一种照明通信发光二极管器件,依次包括正电极、多个矩阵式排列的环形结构芯片芯粒和负电极,所述环形结构芯片芯粒依次包括透明电极层、空穴产生p型层、电子空穴复合层、电子产…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明涉及一种具有可调谐功能的平面纳米振荡器,包括绝缘衬底层、二维半导体导电层、绝缘保护层、穿透所述二维半导体导电层的绝缘刻槽、输入电极、输出电极和覆盖于所述绝缘保护层之上的…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种锡化物超晶格势垒半导体晶体管,包括超晶格势垒层,所述超晶格势垒层为多个周期的薄膜层交替重叠组成,所述薄膜层由锡化物和另一掺杂的锡化物组成。通过利用新型锡的化合…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明涉及一种基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法。所述基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器包括从下往上依次设置的铁电层和铁磁层,所述铁电层为BiFeO3薄膜,所述铁磁…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明提供一种基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法,包括底电极、顶电极、及夹于底电极和顶电极之间的阻变功能复合层;所述阻变功能复合层包括第一有机聚合物薄膜层,…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明提供一种钙钛矿复合多量子阱LED及其制备方法。本发明提供的钙钛矿复合多量子阱LED包括依次设置的衬底、电子注入层、发光层、空穴注入层和电极,所述发光层包括CH3NH3PbBr3薄膜和镶…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种超宽带圆极化抗金属易于阻抗调节的RFID标签天线,包括辐射贴片、介质基板、接地金属贴片和标签芯片,所述辐射贴片设置在介质基板的上表面,所述接地金属贴片设置在介质基…… 查看详细 >
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