一种交流半波等离子体放电装置

技术简介： 摘要：本发明提供了一种交流半波等离子体放电装置，其结构包括高压等离子体放电单元、高压整流单元和高压电源。高压等离子体放电单元包括相对设置的高压端水电极和地端水电极；高压端水电极为两…… 查看详细 >

一种产生大气压均匀放电的装置及方法

技术简介： 摘要：本发明提供了一种产生大气压均匀放电的装置及方法。该装置包括放电机构、供气机构和高压电源；所述放电机构包括空心针电极、平板电极和玻璃管；所述空心针电极通过所述玻璃管与所述供气机…… 查看详细 >

一种石墨烯基金属复合吸波材料的制备方法

技术简介： 摘要：本发明提供了一种石墨烯基金属复合吸波材料的制备方法，包括以下步骤将金属盐溶解于水中，得到金属盐水溶液，将金属盐水溶液逐滴滴加到固体氧化石墨烯中，冷冻干燥，得金属盐/氧化石墨烯…… 查看详细 >

一种交流半波等离子体放电方法

技术简介： 摘要：本发明提供了一种交流半波等离子体放电方法。该方法依赖于一种新的交流半波等离子体放电装置，该装置的结构包括高压等离子体放电单元、高压整流单元和高压电源。高压等离子体放电单元包括…… 查看详细 >

330kV输电线路带电更换耐张双联整串绝缘子方法

技术简介： 项目简介：本发明涉及输电技术领域，具体地说是涉及一种330kV输电线路带电更换耐张双联整串绝缘子方法。本发明方法包括如下步骤：1）拆除需更换绝缘子步骤；2）安装新绝缘子步骤。本发明提供了…… 查看详细 >

光纤冷却装置

技术简介： 项目简介：一种光纤冷却装置，属于光纤生产的配套辅助设施技术领域。包括冷却管，其顶部固定有上法兰连接板，底部固定有下法兰连接板，外壁上包覆有导温层，导温层的外表面由导温层封板包护，导…… 查看详细 >

生长在玻璃衬底上的LED外延片及其制备方法

技术简介： 摘要：本发明公开了生长在玻璃衬底上的LED外延片，包括生长在玻璃衬底上的铝金属层，生长在铝金属层上的银金属层，生长在银金属层上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲…… 查看详细 >

一种基于表面等离子体效应的宽带高效GaN基LED芯片及其制备方法

技术简介： 摘要：本发明公开了一种基于表面等离子体效应的宽带高效GaN基LED芯片及其制备方法。该宽带高效GaN基LED芯片为倒装结构，由下至上依次包括衬底、缓冲层、非故意掺杂GaN层、n‑GaN层、量子阱层、…… 查看详细 >

一种用于LED正装结构的图形化衬底及LED芯片

技术简介： 摘要：本发明公开了一种用于LED正装结构的图形化衬底，衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的穹顶型图案组成；所述穹顶型图案为轴对称的椎体，椎体的底面为半径为0.8～1.2μm的圆形，椎体…… 查看详细 >

生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片及其制备方法

技术简介： 摘要：本发明公开了生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片，包括多根生长在硅衬底上的纳米柱；每根纳米柱由下至上依次包括非掺杂含铟氮化镓纳米柱、n型掺杂氮化镓层、铟镓氮/氮化镓多量子阱、p…… 查看详细 >

一种LED图形优化封装基板、LED封装体

技术简介： 摘要：本实用新型公开了一种LED图形优化封装基板，所述封装基板上设有倒圆锥凹槽图案，所述倒圆锥凹槽的底面半径为0.3～1mm，倒圆锥凹槽倾角为45°～75°，相邻倒圆锥凹槽的中心间距为0.5～1mm；…… 查看详细 >

一种有机材料的溶液成膜方法及设备

技术简介： 摘要：本发明属于膜材料制备技术领域，公开了一种有机材料的溶液成膜方法及设备。所述方法为：将有机材料溶于含有高沸点溶剂和低沸点溶剂的混合溶剂中，然后通过成膜技术将其淀积在基板上，得到…… 查看详细 >