技术简介: 大尺寸氟硼铍酸钾晶体及其水热法生长与变频器件,涉及人工晶体领域。用水热法生长氟硼铍酸钾晶体,该方法选用的矿化剂为氢氧化物或碳酸盐或卤化物或硼酸盐或硼酸或它们任意组合的混合物。本发明…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及人工晶体领域,特别是涉及一种可输出蓝色激光的晶体掺钕钼酸镧钾(Nd3+:KLa(MoOx)2)及其制备方法。该晶体属I4(1)/a(C4h6)空间群,晶胞参数为a=5.445,b=5.445,c=12.208,密度为…… 查看详细 >
技术简介: 掺镱硼酸氧钙钇镧激光晶体及其制备方法和用途涉及人工晶体领域,特别是涉及一种激光晶体掺镱硼酸氧钙钇镧及其制备方法和用途。采用提拉法,在1500℃左右,以5-20转/分钟的晶体转速,0.5-2毫米/…… 查看详细 >
技术简介: 一类氟硅酸盐晶体及其制备方法和用途,涉及功能晶体材料领域。其中M为碱土金属或二价过渡金属元素中某一元素或若干元素的组合,R为稀土或三价过渡金属元素中某一元素或若干元素的组合。该类晶体…… 查看详细 >
技术简介: 一价钨苯硒酚桥羰基钨及其合成方法,涉及化学领域,它是在绝氧绝水条件下,由W(CO)6,C6H5SeNa,Et4NCL反应合成出一价态钨化合物[W2(SeC6H5)2(CO)8]。本化合物的合成对于研究钨酶的功能和模拟是…… 查看详细 >
技术简介: 系列类碲镉汞红外材料及其制备方法和用途,涉及系列类碲镉汞红外材料及其合成。本发明的目的是要找到一种能带具有较大的可“剪裁”性的半导体材料。选择了VIA族元素Se,VIIA族元素Br和IIB族的Cd…… 查看详细 >
技术简介: 一种制备无团聚低温相偏硼酸钡(BBO)纳米粉体的方法,属于精细化工领域。本发明的主要特征是以无机钡盐和硼酸的水溶液为原料,以有机胺为沉淀剂,沉淀过滤、干燥,在650~850℃之间煅烧,可获得平…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及晶体材料领域,它阐述一类新型高非线性光学系数的自变频激光晶体Re3+∶Re2(MoO4)3(Re=Nd,Y,La,....Yb稀土离子)。具有无心对称的正交晶系结构的Re2(MoO4)3(Re=Y,La,Ce,Pr等稀土…… 查看详细 >
技术简介: 本发明阐述一种宽带可调谐激光晶体Cr3+∶LiNbO3。铌酸锂LiNbO3(LN)是一种很重要的光学晶体材料,其晶体结构属于六方晶系,晶胞参数为:a=5.148,b=13.863,熔点为1253℃,可以采用提拉法生…… 查看详细 >
技术简介: 一种掺镱的硼酸铋盐玻璃及其制备方法,涉及激光玻璃领域。本发明提供一种具有高的发光量子效率的掺镱硼酸盐玻璃,它由B2O3,Bi2O3,碱及碱土氧化物RmOn和发光离子氧化物Yb2O3组成。本发明制备的…… 查看详细 >
技术简介: (1)技术投资分析:1、使用该技术生产的聚醚,聚酯成本低,可直接生产防盗门发泡胶,涂料,防水,弹性体,保温发泡等。可省原料采购成本(15%-28%)。2、该胶水配方具有成本低、工艺简单、耐储存…… 查看详细 >
技术简介: 一、项目特点和技术指标P是硅中的主要非金属杂质元素,在硅熔体中的分凝系数为0.35,用传统的定向凝固方法很难去除。本技术采用2N的工业硅为原料,通过真空电磁感应熔炼除P和快速顺序凝固工艺去…… 查看详细 >
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