一种多晶硅的制备方法

技术简介： 技术领域本发明涉及多晶硅技术领域，尤其涉及一种多晶硅的制备方法（专利号201310131297.0）。背景技术目前，多晶硅使用气态锌与四氯化硅反应制取，其主要工艺流程为：金属锌粒经过熔融气化器变…… 查看详细 >

一种镁电池正极材料及其制备方法

技术简介： 技术领域本发明涉及二次电池的制备领域，具体地，本发明涉及一种Mg0.5+y(Co0.5yV0.5yTi1-y)2(PO4)3镁电池正极材料及其制备方法（专利号201410334228.4）。背景技术近年来，随着电子消费品、电动…… 查看详细 >

一种钛酸钙晶须的制备方法

技术简介： 技术领域本发明涉及新型无机功能材料制备技术领域，尤其涉及一种钛酸钙晶须的制备方法（专利号201210318802.8）。背景技术晶须是一种以单晶形式生长的纤维状晶体材料，通常不含常规粉体材料中存…… 查看详细 >

一种新型镁低共熔溶剂

技术简介： 技术领域本发明涉及一种电解溶剂，尤其涉及一种新型镁低共熔溶剂（专利号201310131293.2）。背景技术镁盐的最大用途是提炼为金属镁和镁合金。目前国内多以菱镁矿为原料、皮江法炼镁，是典型的高…… 查看详细 >

一种综合回收利用精铝生产过程中含钡废渣的方法

技术简介： 本发明涉及一种综合回收利用精铝生产过程中含钡废渣的方法（专利号201210113258.3），该方法由氟离子回收工艺、浸出液分离工艺、铁铝分离工艺、钠钡分离工艺组成。本发明易于控制操作，可将精铝…… 查看详细 >

聚乳酸发泡材料及其制备方法

技术简介： 聚乳酸发泡材料及其制备方法本发明提供了一种聚乳酸发泡材料及其制备方法，其原料组分按重量计的配方如下：聚乳酸45～93份、增韧剂5～28份、成核剂1～5份、发泡剂1～10份。聚乳酸为聚—L—乳酸…… 查看详细 >

采用化学腐蚀的方法制备亚硝酸盐传感器电极的方法

技术简介： 采用化学腐蚀的方法制备亚硝酸盐传感器电极的方法本发明公开了一种采用化学腐蚀的方法制备亚硝酸盐传感器电极的方法，将经过预处理的洁净铜电极暴露在含有浓度均大于2mg/m3的NO2和Cl–或SO2和Cl…… 查看详细 >

从砷滤饼中湿法制取砷酸铜的方法

技术简介： 从砷滤饼中湿法制取砷酸铜的方法本发明是一种从砷滤饼中湿法制取砷酸铜的方法，其特征是以砷滤饼为原料，用水调浆，向其中加入H2SO4、和HNO3，在80～85℃温度下强氧化搅拌浸出，过滤后，滤液加…… 查看详细 >

一种通过光热固化的金属表面防护有机—无机杂化涂料

技术简介： 一种通过光热固化的金属表面防护有机—无机杂化涂料一种通过光热固化的金属表面防护有机—无机杂化涂料。涂料的组分及其重量含量百分比为：氨基改性二氧化硅凝胶树脂7.4～18.5%，E-44环氧树脂2.…… 查看详细 >

一种表面活性剂改性的CuInS2纳米晶体的制备方法

技术简介： 一种表面活性剂改性的CuInS2纳米晶体的制备方法本发明公开了一种表面活性剂改性的CuInS2纳米晶体的制备方法，将CuCl2·2H20、InCl3·4H20和CH4N2S依次加入有机溶剂中混合，搅拌使之充分溶解，再加…… 查看详细 >

一种插层纳米材料缓蚀剂及其制备方法

技术简介： 一种插层纳米材料缓蚀剂及其制备方法本发明公开了一种插层纳米材料缓蚀剂，它由如下重量百分比的组分组成：蒙脱土20%～35%，烯基寡聚酰胺季铵盐20%～35%，碘化钾4～10%，表面活性剂OP0。3～0。6…… 查看详细 >

一种用于油管的防腐硬膜缓蚀剂

技术简介： 一种用于油管的防腐硬膜缓蚀剂本发明公开了一种用于油管防腐硬膜的缓蚀剂，按质量百分比含量由组分过氯乙烯树脂为1%～5%，环己酮为15%～30%，二甲苯为20%～40%，对苯二胺为5～30%，钨酸钠为1～5…… 查看详细 >