技术简介: 项目简介:多晶硅太阳能电池织构层的制备方法,涉及一种太阳能电池,尤其是涉及一种利用激光全息法并结合湿法刻蚀方法的多晶硅太阳能电池织构减反层制造工艺。提供一种快速制作大面积周期性微结…… 查看详细 >
技术简介: 项目简介:可充锂电池用尖晶石锂锰钛氧化物正极材料的制备方法,涉及一种可充锂电池正极材料的制备方法。提供一种方法简单、廉价和安全,具有良好电化学活性的可充锂电池用尖晶石锂锰钛氧化物正…… 查看详细 >
技术简介: 本课题组发明了一条在室温下就可以将石墨烯包裹至各种新型锂离子电池负极材料(如:过渡金属氧化物、锡基材料、硅基材料等)表面的简单合成途径。通过利用石墨烯良好的柔韧性、优异的导电性来克…… 查看详细 >
技术简介: 一种新型电池组、电池组连接方法及电池组充放电管理方法。该电池组包括串联设置的若干电池,其中每一电池的一极经一第一开关与一冗余电池单元一极电连接,另一极经一第二开关与该冗余电池单元的…… 查看详细 >
技术简介: 本申请公开了一种太阳能电池,包括衬底、形成于衬底表面的GaInAs基电池膜层以及与GaInAs基电池膜层键合的AlGaInP/(Al)GaInP/GaInNAs(Sb)/GaInNAs(Sb)四结电池膜层。本发明还公开了一种太阳能电…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及太阳能电池技术领域,尤其是提供一种热光伏电池的结构,其包括生长在InP衬底上并与所述InP衬底晶格匹配的InxGa1-xAs1-yBiy电池,所述InxGa1-xAs1-yBiy电池的禁带宽度为0.21~0.73eV。…… 查看详细 >
技术简介: 技术背景:目前,电动车充电站的充电程序大致类似于传统加油站的方式,其付款方式以投币式为主,并且要求投递硬币或固定面额的纸币,因而经常需要工作人员看守在电动车充电站,以便及时帮助用户…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池,包括GaAs衬底以及GaInP/GaAs双结电池和InGaAsP/InGaAs双结电池,所述GaAs衬底具有双面生长结构;所述GaAs衬底的第一面设置有GaInP…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及半导体技术领域,尤其是指一种四结级联太阳能电池,包括从下至上依次设置在Si衬底上的第一键合层、InGaAsP/InGaAs双结电池、第二键合层、第三键合层、GaInP/GaAs双结电池,使所述InGa…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及光伏技术领域,尤其是指一种Si衬底三结级联太阳电池,包括按照远离Si衬底10的方向依次在Si衬底上生长的第一过渡层、GeSi底电池、第二过渡层、第一隧道结、GaAs中间电池、第二隧道结、…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及半导体技术领域,尤其是一种设有石墨烯/金属纳米颗粒复合电极的太阳能电池,其从下至上依次包括衬底、电池层及顶电池窗口层,还包括分散在所述顶电池窗口层表面、并与所述顶电池窗口…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种四结级联太阳电池的制作方法,采用InP作为支撑衬底,首先在InP衬底上制备与InP晶格匹配的InGaAsP/InGaAs双结电池;然后在InGaAsP/InGaAs双结电池上制备一InP键合层,并在所述In…… 查看详细 >
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