一种c轴取向铋铜硒氧基氧化物热电薄膜及其制备方法

技术简介： 摘要：本发明公开了一种c轴取向铋铜硒氧基氧化物热电薄膜，c轴取向铋铜硒氧基氧化物热电薄膜的化学式为Bi1‑xAxCuSeO，其中A代表Mg、Ca、Sr、Ba、Pb、Ag、Na，0≤x≤0.2，所述的c轴取向铋铜硒氧…… 查看详细 >

一种有机材料阻变存储元件及其制备方法

技术简介： 摘要：本发明提供了一种有机材料阻变存储元件及其制备方法。该存储元件的结构包括由下至上依次排布的下电极层、阻变介质层和上电极层；下电极层为ITO层，阻变介质层为CH3NH3PbI3−xCl3层，上电…… 查看详细 >

一种双电荷注入俘获存储器及其制备方法

技术简介： 摘要：本发明提供了一种双电荷注入俘获存储器及其制备方法。所述双电荷注入俘获存储器的结构由下至上依次是Pt衬底、Zr0.5Hf0.5O2膜层、Ba0.6Sr0.4TiO3膜层和电极膜层；在所述Zr0.5Hf0.5O2膜层和…… 查看详细 >

生长在玻璃衬底上的LED外延片及其制备方法

技术简介： 摘要：本发明公开了生长在玻璃衬底上的LED外延片，包括生长在玻璃衬底上的铝金属层，生长在铝金属层上的银金属层，生长在银金属层上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲…… 查看详细 >

一种基于表面等离子体效应的宽带高效GaN基LED芯片及其制备方法

技术简介： 摘要：本发明公开了一种基于表面等离子体效应的宽带高效GaN基LED芯片及其制备方法。该宽带高效GaN基LED芯片为倒装结构，由下至上依次包括衬底、缓冲层、非故意掺杂GaN层、n‑GaN层、量子阱层、…… 查看详细 >

一种用于LED正装结构的图形化衬底及LED芯片

技术简介： 摘要：本发明公开了一种用于LED正装结构的图形化衬底，衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的穹顶型图案组成；所述穹顶型图案为轴对称的椎体，椎体的底面为半径为0.8～1.2μm的圆形，椎体…… 查看详细 >

生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片及其制备方法

技术简介： 摘要：本发明公开了生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片，包括多根生长在硅衬底上的纳米柱；每根纳米柱由下至上依次包括非掺杂含铟氮化镓纳米柱、n型掺杂氮化镓层、铟镓氮/氮化镓多量子阱、p…… 查看详细 >

一种LED图形优化封装基板、LED封装体

技术简介： 摘要：本实用新型公开了一种LED图形优化封装基板，所述封装基板上设有倒圆锥凹槽图案，所述倒圆锥凹槽的底面半径为0.3～1mm，倒圆锥凹槽倾角为45°～75°，相邻倒圆锥凹槽的中心间距为0.5～1mm；…… 查看详细 >

一种有机材料的溶液成膜方法及设备

技术简介： 摘要：本发明属于膜材料制备技术领域，公开了一种有机材料的溶液成膜方法及设备。所述方法为：将有机材料溶于含有高沸点溶剂和低沸点溶剂的混合溶剂中，然后通过成膜技术将其淀积在基板上，得到…… 查看详细 >

一种光导型有机半导体探测器及其制备方法

技术简介： 摘要：本发明公开了一种光导型有机半导体探测器，由下至上依次石英片衬底，金属纳米粒子，有机绝缘层，有机光敏层和金属电极迭置而成；所述金属纳米粒子与有机光敏层产生局域等离子体共振。本发…… 查看详细 >

聚合物本体异质结太阳电池及其制备方法

技术简介： 摘要：本发明提供了一种聚合物本体异质结太阳电池及其制备方法，所述聚合物本体异质结太阳电池由玻璃衬底、阳极、阳极缓冲层、光活性层、阴极界面层和阴极依次层叠构成，所述阴极界面层采用含有…… 查看详细 >

一种有机太阳能电池阴极界面材料及其制备方法和有机太阳能电池

技术简介： 摘要：本发明公开了一种有机太阳能电池阴极界面材料，为含磺酸根取代基的酰亚胺类小分子化合物掺杂的氧化锌。本发明还公开了上述有机太阳能电池阴极界面材料的制备方法和以本发明的有机太阳能电…… 查看详细 >