一种用于铜互连的导电阻挡层材料及其制备方法

技术简介： 摘要：本发明公开了一种铜互连导电阻挡层材料及其制备方法，其采用磁控溅射法，在硅基片上依次集成非晶Nb-Ni导电阻挡层和Cu互联层。所述非晶Nb-Ni导电阻挡层的厚度为2~8000nm，优选为2~5nm，所…… 查看详细 >

一种电荷俘获存储器及其制备方法

技术简介： 摘要：本发明提供了一种电荷俘获存储器及其制备方法。所述电荷俘获存储器的结构由下至上依次是p‑Si衬底、SiO2隧穿层、Zr0.5Hf0.5O2膜层和电极膜层；所述电极膜层为Au或Pt电极膜层；所述Zr0.5Hf…… 查看详细 >

一种斜切砷化镓单晶光、热探测器

技术简介： 摘要：本发明提供一种斜切砷化镓单晶光、热探测器，依次由导热胶粘结的斜切砷化镓单晶薄片，金属铜热沉和金属支架组成，在斜切砷化镓单晶薄片上表面设置两个对称的金属电极作为电压信号输出端，…… 查看详细 >

一种刻蚀铜锌锡硫薄膜表面二次相的方法

技术简介： 摘要：本发明提供了一种刻蚀铜锌锡硫薄膜表面二次相的方法。该方法使浓盐酸（质量分数为37.5%）与去离子水按预定体积比进行混合以对浓盐酸进行稀释，稀释后的盐酸溶液置于恒温的水浴锅中，将待…… 查看详细 >

一种阻变存储元件及其制备方法

技术简介： 摘要：本发明公开了一种阻变存储元件，其异质结构层形式为Ag/a-IGZO/Pt或Ag/a-IGZO/Au，其中的a-IGZO层为非晶的IGZO阻变存储层，所述a-IGZO层中In、Ga、Zn原子的摩尔比为1∶1∶1。本发明还公开…… 查看详细 >

一种c轴取向铋铜硒氧基氧化物热电薄膜及其制备方法

技术简介： 摘要：本发明公开了一种c轴取向铋铜硒氧基氧化物热电薄膜，c轴取向铋铜硒氧基氧化物热电薄膜的化学式为Bi1‑xAxCuSeO，其中A代表Mg、Ca、Sr、Ba、Pb、Ag、Na，0≤x≤0.2，所述的c轴取向铋铜硒氧…… 查看详细 >

一种有机材料阻变存储元件及其制备方法

技术简介： 摘要：本发明提供了一种有机材料阻变存储元件及其制备方法。该存储元件的结构包括由下至上依次排布的下电极层、阻变介质层和上电极层；下电极层为ITO层，阻变介质层为CH3NH3PbI3−xCl3层，上电…… 查看详细 >

一种双电荷注入俘获存储器及其制备方法

技术简介： 摘要：本发明提供了一种双电荷注入俘获存储器及其制备方法。所述双电荷注入俘获存储器的结构由下至上依次是Pt衬底、Zr0.5Hf0.5O2膜层、Ba0.6Sr0.4TiO3膜层和电极膜层；在所述Zr0.5Hf0.5O2膜层和…… 查看详细 >

生长在玻璃衬底上的LED外延片及其制备方法

技术简介： 摘要：本发明公开了生长在玻璃衬底上的LED外延片，包括生长在玻璃衬底上的铝金属层，生长在铝金属层上的银金属层，生长在银金属层上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲…… 查看详细 >

一种基于表面等离子体效应的宽带高效GaN基LED芯片及其制备方法

技术简介： 摘要：本发明公开了一种基于表面等离子体效应的宽带高效GaN基LED芯片及其制备方法。该宽带高效GaN基LED芯片为倒装结构，由下至上依次包括衬底、缓冲层、非故意掺杂GaN层、n‑GaN层、量子阱层、…… 查看详细 >

一种用于LED正装结构的图形化衬底及LED芯片

技术简介： 摘要：本发明公开了一种用于LED正装结构的图形化衬底，衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的穹顶型图案组成；所述穹顶型图案为轴对称的椎体，椎体的底面为半径为0.8～1.2μm的圆形，椎体…… 查看详细 >

生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片及其制备方法

技术简介： 摘要：本发明公开了生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片，包括多根生长在硅衬底上的纳米柱；每根纳米柱由下至上依次包括非掺杂含铟氮化镓纳米柱、n型掺杂氮化镓层、铟镓氮/氮化镓多量子阱、p…… 查看详细 >