技术简介: 本实用新型公开了一种电子浆料的直写成型装置,包括沉积喷嘴、基板、由控制器控制的工作台、二流体雾化喷嘴和对接喷管;二流体雾化喷嘴由位于雾化腔内的气体喷嘴和液体喷嘴构成;气体喷嘴通过导气…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型公开了一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路,该电路包括电压比较器电路和电流泻放电路。电压比较器电路包括PMOS管P1,P3和电阻R2,R3,用于检测和比较电压值;电流泻放电路包括NMOS…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型公开了一种用于电源芯片的输出电压状态指示电路。该电路双阈值比较器、计数器、振荡器和延时锁存单元;双阈值比较器用于限定开关电源芯片输出电压VOUT范围;计数器输出始终相反的一对信…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型公开了一种抗功耗攻击的字节替换电路,包括编码单元、随机开关单元、S盒单元和恢复单元,S盒单元由4~16个异构S盒组成。本实用新型采用异构S盒单元代替传统的单一结构的S盒单元,在S盒单…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型公开了一种用于电可擦除可编程只读存储器的灵敏放大器,包括充电控制电路和检测输出电路两部分。充电控制电路包括PMOS管P1和NMOS管N1、N2,检测输出电路包括PMOS管P2、P3和NMOS管N3,N4,…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型公开了一种双环低压差线性稳压器电路,包括误差放大器、第二级放大器、功率管、补偿单元、输出采样网络、负载电容和负载电路、前馈放大器、上拉驱动管、下拉驱动管和采样管。包括两条…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型公开了一种单端输入的迟滞比较电路,包括用于产生阈值电压的阈值电压产生环路,以及用于产生迟滞电压的正反馈支路;正反馈支路由电流源I3和开关SW串联构成;阈值电压产生环路包括PMOS管P1…… 查看详细 >
技术简介: 铁电存储器用铁电薄膜电容公开了一种铁电存储器用铁电薄膜电容,该铁电存储器用铁电薄膜电容依次由硅基底、二氧化硅阻挡层、二氧化钛粘结层、下电极金属层、下缓冲层、铁电薄膜层、上缓冲层、上…… 查看详细 >
技术简介: 热释电系数测量装置,属于电流测量设备,基于动态电流法,以提高测量准确度,并且简化操作。加热炉体内一端设有加热器、另一端装有样品夹具和热电阻感温器,温度控制器连接加热器控制加热炉体的内部…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型公开了一种基于级联结构的无输入和输出变压器型高压大功率变换器。变换器由输入电抗器,N个整流-逆变单元模块和输出电抗器构成;输入电抗器与第一级整流-逆变单元模块的输入端连接,第一…… 查看详细 >
技术简介: 带磁芯的空心线圈电流传感器,属于电流测量设备,用于交流及暂态电流测量,克服磁饱和及剩磁问题,以准确传感交流及暂态电流。本实用新型(1)传感头结构为:在环形磁芯上,均匀双线并绕有结构和参数相…… 查看详细 >
技术简介: 高温超导磁体脉冲成形装置属于脉冲发生装置,目的在于高效利用高温超导磁体的储能特性和放电特性,提高磁体输出功率、改善波形。本实用新型充电电路与超导磁储能磁体、控制电路和保护电路依次电气…… 查看详细 >
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