一种集成耦合偏振处理的行波光电探测器

技术简介： 摘要：本发明涉及一种集成耦合偏振处理的行波光电探测器，至少包括一个构成单元，所述每个构成单元包括射频传输线、分别加载在射频传输线两侧的光探测单元、两条一端相互连接的无源光波导、开设…… 查看详细 >

一种非挥发性阻变存储器有源集成结构

技术简介： 摘要：本实用新型涉及存储技术领域，具体地，涉及一种非挥发性阻变存储器有源集成结构。其包括SrTiO3衬底、设于SrTiO3衬底上的LaAlO3薄膜和设于SrTiO3衬底上并穿过LaAlO3薄膜的第一金属电极，第…… 查看详细 >

双栅极光电薄膜晶体管的光栅极复合膜结构及薄膜晶体管

技术简介： 摘要：本发明涉及一种双栅极光电薄膜晶体管的光栅极复合膜结构及薄膜晶体管，其中复合膜结构包括第一透明导电氧化物薄膜、第二透明导电氧化物薄膜和金属层，其中第一透明导电氧化物薄膜、金属层…… 查看详细 >

一种厚膜高耐压氮化物半导体外延结构及其生长方法

技术简介： 摘要：本发明涉及半导体材料外延生长领域，公开了一种厚膜高耐压氮化物半导体外延结构及其生长方法。其外延结构由下至上依次包括衬底、衬底上的成核层、成核层上的氮化物半导体材料层，所述氮化…… 查看详细 >

一种具有带通滤波功能的可见光通信用光电探测器

技术简介： 摘要：本发明涉及可见光光电探测器的技术领域，更具体地，涉及一种具有带通滤波功能的可见光通信用光电探测器。一种具有带通滤波功能的可见光通信用光电探测器，包括衬底，利用外延生长法，依次…… 查看详细 >

一种硅基硫化锌异质结太阳电池及其制备方法

技术简介： 摘要：本发明公开了一种硅基硫化锌异质结太阳电池，所述硅基硫化锌异质结太阳电池的结构为银前电极/氢掺杂AZO透明导电膜/硫化锌薄膜/硅基体/铝背场/铝电极，所述硫化锌薄膜为n型硫化锌发射极，…… 查看详细 >

一种生成白光的方法

技术简介： 摘要：本发明涉及绿色照明技术，公开了一种生成白光的方法，采用紫外光源激发至少两类ZnO基量子点，辐射出至少一种峰值波长在470～500nm范围内的光和至少一种峰值波长在550～760nm范围内的光，…… 查看详细 >

一种基于A相二氧化钒纳米线的温度控制开关及其制作方法

技术简介： 摘要：本发明公开了一种基于A相二氧化钒纳米线的温度控制开关及其制作方法。本发明的温度控制开关的温度传感材料为A相二氧化钒纳米线，宽度为大于220nm。本发明采用A相二氧化钒纳米线作为传感器…… 查看详细 >

用SiC作为基片的大功率半导体封装构造及其方法

技术简介： 摘要：本发明公开了一种用SiC作为基片的大功率半导体封装构造，包括基板和用SiC作为基片的芯片，所述芯片与基板之间设置有金属泡沫层；将金属泡沫层设置于芯片与基板之间，避免芯片与基板之间接…… 查看详细 >

一种极低导通电阻的槽型场氧功率MOS器件

技术简介： 摘要：本发明公开了一种极低导通电阻的槽型场氧功率MOS器件，涉及一种半导体功率器件，包括衬底P型硅层、有源顶层硅和槽型场氧，有源硅层包含有纵向沟道、N-漂移区、P型硅区，以及埋于整个衬底…… 查看详细 >

双轴张应变GeSnn沟道金属氧化物半导体场效应晶体管

技术简介： 摘要：本发明提供一种带有双轴张应变的GeSnn沟道MOSFET。该MOSFET(10)包括衬底（101）、源极和漏极（102,103）、GeSn沟道（104）、绝缘介电质薄膜（105）以及栅电极（106）。源漏区域材料的晶格…… 查看详细 >

一种有机薄膜晶体管的制备方法

技术简介： 摘要：本发明公开了一种有机薄膜晶体管的制备方法，它包括SiO2/Si基片的预处理，还包括基片的自组装处理：将十八磷酸溶于四氢呋喃中，配制1mmol/L的溶液，用提拉法在预处理的SiO2/Si基片上生长…… 查看详细 >