技术简介: 摘要:本发明公开了一种锡化物超晶格势垒半导体晶体管,包括超晶格势垒层,所述超晶格势垒层为多个周期的薄膜层交替重叠组成,所述薄膜层由锡化物和另一掺杂的锡化物组成。通过利用新型锡的化合…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明涉及一种基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法。所述基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器包括从下往上依次设置的铁电层和铁磁层,所述铁电层为BiFeO3薄膜,所述铁磁…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明提供一种基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法,包括底电极、顶电极、及夹于底电极和顶电极之间的阻变功能复合层;所述阻变功能复合层包括第一有机聚合物薄膜层,…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明提供一种钙钛矿复合多量子阱LED及其制备方法。本发明提供的钙钛矿复合多量子阱LED包括依次设置的衬底、电子注入层、发光层、空穴注入层和电极,所述发光层包括CH3NH3PbBr3薄膜和镶…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明提出了一种双吸收层PIN结构光伏器件及制备方法。它是在异质结中加入两种具有不同的带隙宽度材料V-Ga:TiO2(1.6eV)和Cu2O(2.0eV)作为光双吸收层,扩展了产生光生载流子的吸收波段…… 查看详细 >
一种基于ZnO/CsPbBr3/MoO3结构的纯无机光电探测器
技术简介: 摘要:本发明提出了一种FTO/ZnO纳米棒/CsPbBr3/MoO3/Au结构的纯无机自驱动光电探测器及其制备方法,其具体结构为FTO衬底层,ZnO纳米棒为电子传输层,CsPbBr3钙钛矿为吸光层,半导体氧化物MoO3为…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明提出了一种基于卤化铅的阻变存储器及其制备方法,其具体结构为三明治结构,FTO、ITO、ZTO作为基片和底电极,卤化铅薄膜作为阻变层,Pt、Au、W作为顶电极。本发明采用了一种新型的阻…… 查看详细 >
技术简介: 本发明提供了一种基于有机铁电薄膜材料的忆阻器器件,包括柔性衬底、形成在所述柔性衬底上的底电极、形成在所述底电极之上的有机铁电薄膜层、以及形成在所述有机铁电薄膜层之上的上电极,其中,…… 查看详细 >
技术简介: 本专利技术公开了一种水文流量波动情势识别方法及系统。水文流量波动情势识别方法及系统包括将水文流量过程线解析为由若干点连接组成,计算水文流量离散值;计算水文流量变化率,判断水文流量极…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及一种风电场三维远程监控系统。风电场三维远程监控系统所提出的技术方案内容包括建立风电场的三维物理模型,建立风电场的漫游功能模块、视角切换模块和实时数据查询模块,建立了系统的…… 查看详细 >
技术简介: 一种固体姿控动力系统试车台装置。固体姿控动力系统试车台装置包括安装台(1)、试车架(2)和可调平安装台(3);所述安装台(1)与姿控发动机配接,可调平安装台(3)设置在试车架(2)上;姿…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及一种三维三角网构建填挖空间的图割方法。三维三角网构建填挖空间的图割方法基于图割法直接构建三维三角网,将构网问题视为优化标记问题。首先获取原始地形散点和现实地形散点,将其合…… 查看详细 >
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