Li掺杂生长p型透明导电Ni1-xMgxO晶体薄膜

技术简介： 一种Li掺杂生长p型透明导电Ni1-xMgxO晶体薄膜的方法（专利号201210541828.9），是采用脉冲激光沉积法，将NiO、MgO和Li2CO3粉末球磨混合后，压型并高温烧结，制得掺Li的Ni1-xMgxO陶瓷靶材；再将…… 查看详细 >

一种高热稳定有序介孔氧化铝材料及其制备方法

技术简介： 一种高热稳定有序介孔氧化铝材料及其制备方法（专利号201310458789.0），属于无机孔材料和催化剂制备领域。以经溶剂热预处理后的无机铝为前驱体，通过溶剂挥发诱导自组装使其与嵌段共聚物模板剂…… 查看详细 >

一种发浅黄光的镝配合物的制备方法

技术简介： 本发明涉及一种发浅黄光的镝配合物的制备方法（专利号201010518541.5），是以氯化镝、磺基水杨酸、三苯基氧膦为原料，以乙醇为溶剂，先配制氯化镝乙醇溶液、磺基水杨酸+三苯基氧膦乙醇溶液、氢…… 查看详细 >

一种光子晶体多层膜的制备方法

技术简介： 本发明涉及一种光子晶体多层膜的制备方法，是针对光子晶体在光学材料中的应用情况，采用导电玻璃做基片，以氧化钛、铜作膜层，通过磁控溅射，在基片上溅射TiO2、Cu膜层，以TiO2、Cu交替形成14层…… 查看详细 >

有序双介孔二氧化硅材料及其制备方法

技术简介： 本发明涉及一种有序双介孔二氧化硅材料及其制备方法（专利号201310659149.6），所述有序双介孔二氧化硅材料具有串状葡萄形貌，长度5～15μm，具有两种有序孔：一种孔径1.5～4.2nm、另一种孔径4.…… 查看详细 >

一种铝基碳化硼中子吸收复合材料的制备方法

技术简介： 本发明涉及一种铝基碳化硼中子吸收复合材料的制备方法（专利号201110224888.3），是针对中子吸收复合材料的特性，采用铝粉、硅粉、钛粉、碳化硼粉做原料，采用粉末冶金法，通过研磨、制坯、冷压…… 查看详细 >

一种釉彩特种陶瓷手表(实用和外观)套整体转让

技术简介： 一种新型釉彩特种陶瓷手表，专利号：ZL201320345205.4她以微妙的质感变化形式，从本质上改变了产品外观的形态：亮的---晶莹剔透、玻质透亮；暗的---深沉浑厚,古朴典雅；静的---清丝忧静、明亮透…… 查看详细 >

一种新型陶瓷开关插座

技术简介： 本发明一种新型陶瓷开关插座，专利号：CN201320688291.9陶瓷开关插座研发目的：壁式开关插座在人们生活中是使用频率最高的产品，市场上现有的壁式开关插座，我们发现在频繁的使用过程中容易变脏…… 查看详细 >

一种特殊形貌的有序介孔二氧化硅材料的制备方法

技术简介： 本发明属于材料科学领域，具体阐述了一种由孔结构层层卷曲形成“铜钱”状形貌的有序介孔二氧化硅材料的制备方法（专利号201410331960.6）。本发明公开的该种形貌的有序介孔结构二氧化硅材料的特…… 查看详细 >

一种碱土金属有机晶体材料的制备方法

技术简介： 本发明涉及一种碱土金属有机晶体材料的制备方法（专利号201310057720.7），是以碱土类金属硝酸钡为金属源，以2,6-二甲基吡啶-3,5-二羧酸为有机配体，以氢氧化钠为酸碱度pH值调节剂，以无水乙醇…… 查看详细 >

一种无卤阻燃聚苯乙烯复合材料及其制备方法

技术简介： 本发明一种无卤阻燃聚苯乙烯复合材料及其制备方法（专利号201110394836.0），属于聚苯乙烯复合阻燃材料技术领域；所要解决的技术问题为提供了一种包括聚苯乙烯和无卤阻燃剂复合而成的无烟复合材…… 查看详细 >

一种协同增强增韧环氧树脂复合材料的制备方法

技术简介： 一种协同增强增韧环氧树脂复合材料的制备方法（专利号201310113765.1），属于复合材料研究和制备领域，其特征在于是一种纳米碳酸钙-碳纤维协同增强增韧环氧树脂复合材料的制备方法。具体就是将…… 查看详细 >