氧化石墨烯的还原方法

技术简介： 本发明公开了一种氧化石墨烯的还原方法。该方法为：取质量比在1000：1–1：1000的二异氰酸酯修饰的双亲性聚合物和氧化石墨烯在有机溶剂中于50-200?C反应0.1-120h，而后将固态产物自反应混合物中…… 查看详细 >

一种垂直喷淋式MOCVD反应器

技术简介： 本发明揭示了一种垂直喷淋式MOCVD反应器，包括反应室、设于反应室顶部的喷淋头及其冷却水进、出口、设于反应室底部的衬底托、加热器及出气口，用于输入反应气体的进气口设于喷淋头之内，其特点…… 查看详细 >

一种基于场效应晶体管的手性传感器及其制备方法

技术简介： 本发明揭示了一种基于场效应晶体管的手性传感器及其制备方法，该手性传感器利用场效应晶体管的结构，其有源层为具有手性识别与检测功能的碳纳米管薄膜，该有源层组分上可以是经过手性分子修饰的…… 查看详细 >

利用石墨烯片与趋磁细菌三维复合物吸附重金属的方法

技术简介： 本发明公开了一种利用石墨烯片与趋磁细菌三维复合物吸附重金属的方法。该方法为：取石墨烯片与趋磁细菌于液相体系中充分混合，形成石墨烯片-趋磁细菌三维复合物，而后将该石墨烯片-趋磁细菌三维…… 查看详细 >

蓝宝石基新型倒装结构及其用途

技术简介： 本发明揭示了一种蓝宝石基新型倒装结构，其特征在于：包括n电极导电转移基板、蓝宝石基光电器件基础芯片、引线及绝缘填充材料，其中用于与蓝宝石基光电器件基础芯片的n电极及电源分别相连的电极…… 查看详细 >

四结GaIn/GaAs/InGaAs/Ge太阳电池

技术简介： 本发明揭示了一种四结GaInP/GaAs/InGaAs/Ge太阳电池的制作方法，利用晶片键合的方法，将基于倒置结构生长的GaInP/GaAs/InGaAs三结太阳和Ge太阳电池单片集成，充分利用Ge电池，既直接作为四结电…… 查看详细 >

基于石墨烯的透明导电电极及其制法与应用

技术简介： 本发明揭示了一种利用石墨烯薄膜作为GaN基LED、紫外光探测器的透明导电电极及其制法与应用，该石墨烯薄膜固化结合于LED、紫外光探测器GaN基片表面。采用化学气相沉积或还原氧化法制备石墨烯透明…… 查看详细 >

一种掺入石墨烯的锂离子电池正极材料的制备方法

技术简介： 本发明揭示了一种掺入石墨烯的锂离子电池正极材料的制备方法，其中正极材料的主要成分为磷酸铁锂纳米粒子，其包括以下特征步骤：首先分别制备石墨烯、氧化石墨烯、插层石墨烯，然后将石墨烯、氧…… 查看详细 >

由四氧化三铁纳米晶一步制备磁性空心团簇的方法

技术简介： 本发明公开了一种由四氧化三铁纳米颗粒一步制备磁性空心团簇的方法。该方法为：将油溶性四氧化三铁纳米颗粒与具有活性官能团的表面修饰剂在室温下均匀混合在三液相组成的微乳体系中进行反应，形…… 查看详细 >

材料表面局部光谱测量装置以及测量方法

技术简介： 本实用新型公开了一种具有检测运动状态功能的远程体征参数监护系统，包括可佩带终端和远程监控中心；所述的可佩带终端主要由信号采集模块、信号转换和处理模块及通信模块集成，所述的远程监控中…… 查看详细 >

半导体材料测量装置及原位测量界面缺陷分布的方法

技术简介： 本发明提供半导体材料测量装置及原位测量界面缺陷分布的方法，属于半导体测试领域，该半导体材料测量装置包括一反应腔室、一样品平台、一聚焦离子束显微镜系统与一电子束诱导感生电流测量装置；…… 查看详细 >

一种红外探测器的读出电路

技术简介： 本实用新型揭示了一种红外探测器的读出电路，其包括含至少一个运算放大器的CTIA结构积分单元，所述运算放大器为MOS器件，其特征在于：所述积分单元内含的运算放大器为工作在亚阀值区——MOS器件…… 查看详细 >