技术简介: 本发明公开了基于Plasmon增强的量子阱红外探测器及其制备方法,其包括:一SI-GaAs衬底;一位于所述衬底上的AlAs缓冲层;一位于所述缓冲层上的AlAs:Si下接触层;一位于所述下接触层上的多量子阱…… 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种具有多重环带结构的图形衬底及其制备方法和应用,所述图形衬底的图形由阵列排布的复数个多重环带单胞结构组成,每一个多重环带单胞结构包含复数个同心的由大到小嵌套的环形凸起…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种高速电调控太赫兹调制器,包括介质基板(4),所述介质基板(4)是对太赫兹波透明的材料,且所述介质基板表面分布高电子迁移率晶体管(3)形成的阵列,该介质基板表面以及高电子迁移…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及柔性电子器件制作领域,尤其是一种调控介电层或绝缘层厚度的方法。这种调控柔性电子器件介电层厚度的方法步骤是利用柔性衬底层同时作为介电层或绝缘层;通过对其表面直接或涂覆压印材…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种新型氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法,本发明采用Al组分渐变的p-AlGaN作为光学限制层,通过极化掺杂的原理,实现三维空穴气。利用本发明可以提高受主Mg杂质的活化效率…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种I-V二阶微分测量方法及装置。该装置包括直流信号源、函数发生器、具有分压作用的交直流加法器、前置放大器,锁相放大器及环境条件控制系统;该方法是:将选定频率的交流小信号…… 查看详细 >
技术简介: 一种基于纳米柱阵列结构的光电器件及其制作方法。该光电器件包括表面具有纳米柱阵列结构的n型或p型半导体层,该纳米柱阵列上依次生长有垂直结构有源区和横向连续无裂痕的p型或n型区,该p型或n型…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种微型拉伸测量组件及其制作方法。该测量组件包括相互配合的固定平台和移动平台,固定平台一端固定连接第一样品平台,移动平台一端经弹性元件连接一第二样品平台,在测量时样品两…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种超快电子器件响应测试系统及方法。该系统包括飞秒脉冲激光器、飞秒脉冲延时系统、电脉冲产生模块、电脉冲探测模块及数据采集校正系统;该方法为:利用光学延时系统将光束分成有…… 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种高灵敏度紫外探测器的制备方法,该方法以调节宽禁带半导体的材料组分来实现对紫外波段的选择性探测。特别通过在该宽禁带半导体制备表面柱阵列结构,再采用紫外透光导电材料沉积…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及一种非制冷红外探测系统像素阵列的制作方法,包括以下步骤:一、在SOI的顶层表面通过光刻结合刻蚀工艺将顶层材料刻穿至到达SOI的埋层材料,在所述SOI的埋层表面形成若干个独立的热隔…… 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种纳米线压电器件的制作方法,利用直接干法转移将预制的纳米线在聚酰亚胺薄膜上形成平行排列的纳米线阵列;再采用微米级或纳米级光刻法,在上述纳米线阵列上制备压电器件的源极和…… 查看详细 >
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