孙蓉

个人简介

　博士毕业于于中国科学院兰州化学物理研究所，2006年入职先进院，作为负责人从零开始组建先进材料研究中心、确立先进电子封装材料的研究与应用为中心的核心科研方向，是“深圳市双百人才计划”入选者、深圳市高层次领军人才。主要研究方向包括高密度倒装芯片底部填充关键材料、3D IC互联集成关键材料、埋入式功能材料、高密度高频基板基础材料等电子封装材料方面的研究和应用。近年来国内外权威学术期刊上发表论文110余篇，申请发明专利70余件，专业论著一部。2010年获批国务院政府特殊津贴。